ตามข่าวประจำวันของไต้หวันหลี่เป่ยหยิงผู้จัดการทั่วไปของสาขาเอเชียใต้ประกาศเมื่อวันที่ 10 ว่าเขาได้เสร็จสิ้นการวิจัยอิสระและพัฒนาเทคโนโลยี DRAM 10 นาโนเมตรและจะเริ่มทดลองผลิตในช่วงครึ่งหลังของปีนี้
มีรายงานว่าชิปหน่วยความจำ DRAM ทั่วโลกส่วนใหญ่ควบคุมโดย Samsung, SK Hynix และ Micron ส่วนแบ่งของพวกเขามากกว่า 95% เหตุผลสำคัญคือสิทธิบัตรเทคโนโลยีทั้งสามนี้มีเกณฑ์ที่สูงมาก เป็นการยากที่ บริษัท อื่นจะเจาะทะลุ .
ขณะนี้สาขาเอเชียใต้มุ่งเน้นไปที่เทคโนโลยี 20nm และแหล่งเทคโนโลยีคือไมครอน ด้วยการแนะนำกระบวนการ 10 นาโนเมตรของ Nanya สู่เทคโนโลยีอิสระหมายความว่ามันจะไม่พึ่งพาการอนุญาตของไมครอนอีกต่อไปในอนาคตและแต่ละผลิตภัณฑ์ได้รับการพัฒนาโดย บริษัท เอง ต้นทุนลดลงอย่างมาก
หลี่เป่ยหยิงกล่าวว่า Nanyake ประสบความสำเร็จในการพัฒนาเทคโนโลยีการผลิตหน่วยความจำใหม่สำหรับ 10nm DRAM ซึ่งช่วยให้การหดตัวอย่างยั่งยืนของผลิตภัณฑ์ DRAM เป็นเวลาอย่างน้อยสามยุค รุ่นแรกของผลิตภัณฑ์ตะกั่ว 10nm, 8Gb DDR4, LPDDR4 และ DDR5 จะถูกสร้างขึ้นบนเทคโนโลยีกระบวนการผลิตอิสระและแพลตฟอร์มเทคโนโลยีผลิตภัณฑ์และจะเข้าสู่การผลิตทดลองใช้ผลิตภัณฑ์หลังจากครึ่งหลังของปี 2020
เทคโนโลยีการผลิต 10 นาโนเมตรรุ่นที่สองได้เริ่มการวิจัยและพัฒนาและคาดว่าจะเริ่มการผลิตทดลองใช้ในปี 2022 เทคโนโลยีการผลิต 10 นาโนเมตรรุ่นที่สามจะได้รับการพัฒนาในอนาคต เขาเน้นว่าหลังจากเข้าสู่กระบวนการ 10 นาโนเมตรแล้ว Nanya จะมุ่งเน้นไปที่เทคโนโลยีที่พัฒนาขึ้นเองลดค่าลิขสิทธิ์และปรับปรุงประสิทธิภาพอย่างมาก
สอดคล้องกับการพัฒนากระบวนการ 10 นาโนเมตรการใช้จ่ายเงินทุนของ Nanya จะสูงกว่า 5.5 พันล้านหยวนในปีที่แล้ว Li Peiying กล่าวว่านอกเหนือจากการปรับปรุงค่าใช้จ่ายแล้วการพัฒนาอิสระของ Nanya ที่ประสบความสำเร็จในการพัฒนาเทคโนโลยีการผลิตขนาด 10 นาโนเมตรจะช่วยให้เข้าใจโอกาสในการพัฒนาและความก้าวหน้าทางเทคโนโลยีต่อผลิตภัณฑ์ใหม่ที่มีความหนาแน่นสูง